|
تفاصيل المنتج:
|
| جهد مصدر الصرف: | 500 فولت | جهد مصدر البوابة: | ±30 |
|---|---|---|---|
| تيار التصريف النبضي: | 30A | أقصى قدر من تبديد الطاقة: | 80 واط |
JUYI 500V / 8A N وضع تعزيز القناة MOSFET الطاقة
|
الرمز
|
المعلم
|
الحد
|
الوحدة | |
|
VDS
|
فولتاج مصدر الصرف
|
500
|
V | |
|
VGS
|
الجهد من مصدر البوابة
|
±30 | V | |
|
أناد
|
التخلص المستمر
التيار الحالي
|
Tc=25oC
|
8 | أ |
|
Tc=100oC
|
4.8 | |||
|
أناد.م.
|
التيار التنفسي النبضي
|
30 | أ | |
|
(ب)د
|
الحد الأقصى لتفريغ الطاقة
|
80 | W | |
|
TجTSTG
|
نطاق درجة حرارة نقطة التقاطع وتخزين
|
-55 + 150
|
oC | |
|
RθJC
|
المقاومة الحرارية-الارتباط مع القضية
|
1.56 |
°C/W
|
|
اتصل شخص: Ms. Lisa
الهاتف :: +86-18538222869
